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SP60N01BGTQ
大电流SGT MOSFET 耐压:60V 电流:200A
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- 描述
- 大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：200A,Rdson：1.5mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP60N01BGTQ
- 商品编号
- C42403237
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.676克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V；2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 220W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 148nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.904nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻(Rdson)
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 充电器
- 电池管理
- 电源开关应用