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BMB65N380E1
N沟道 650V 9.6A
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- 描述
- 超结 MOSFET,650V,9.6A,380mΩ@10V
- 商品型号
- BMB65N380E1
- 商品编号
- C42401707
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.8mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 624pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 224pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 先进的沟槽工艺技术
应用领域
- 便携式 DC/DC 转换器的负载开关
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