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SLC800MD10SLT2(-S)
1个N沟道 耐压:100V 电流:650A
- 描述
- N沟道 100V 800A 0.4mΩ@10v 功率(Pd) 1250W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.2V@250uA
- 品牌名称
- 赛力康电气
- 商品型号
- SLC800MD10SLT2(-S)
- 商品编号
- C42401681
- 商品封装
- SMD,59x35mm
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 650A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 410nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 26nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 400pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15nF |
商品概述
HBUK721955A118采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 50A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 17mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源