HIRFR7546TRPBF
HIRFR7546TRPBF
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- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有80A的大电流承载能力，能够承受高达60V的漏源电压(VDSS)，其导通电阻仅为6毫欧姆(RDON)，有效降低了工作时的能量损耗。最大栅源电压(VGS)为20V，适合应用于需要高效能、低阻抗开关特性的场合，如高性能电源供应器、服务器与数据中心设备中的电源管理模块、以及各种消费电子产品中对效率有严格要求的部分。它在保持电路紧凑性的同时提供了出色的热性能和可靠性。
- 商品型号
- HIRFR7546TRPBF
- 商品编号
- C42401181
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378788克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,45A | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
5+￥1.140273￥1.2261
50+￥1.115256￥1.1992
150+￥1.098516￥1.1812
500+￥1.081776￥1.1632￥2908
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库存总量
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购买数量
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起订量：5 个2500个/圆盘
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