HPHB32N06LT118
HPHB32N06LT118
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续电流承载能力（ID），最大可承受漏源电压（VDSS）为60V，导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，在栅源电压（VGS）最高可达20V的情况下提供高效的开关性能。该MOSFET适用于要求高效能与低损耗的应用场景，如便携式设备充电管理、电源适配器中的开关调节以及消费类电子产品中的电源管理等。其优良的电气特性使其成为设计中实现高性能转换的关键元件。
- 商品型号
- HPHB32N06LT118
- 商品编号
- C42401180
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.378nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
梯度价格
梯度
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原价
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1+￥2.4565￥2.89
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