HIRLML0060
HIRLML0060
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- 描述
- 此款N沟道场效应管具备出色的电气特性，其最大连续漏极电流可达3A，能够承受高达60V的漏源电压。该MOSFET拥有72毫欧姆的低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。同时，它支持20V的最大栅源电压，确保了良好的开关性能。适用于需要高效能、紧凑设计及稳定工作的电子设备中，如电源管理、信号处理以及各种消费电子产品内作为开关或放大元件使用。
- 商品型号
- HIRLML0060
- 商品编号
- C42401170
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028283克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 510pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
5+￥0.316445￥0.3331
50+￥0.30951￥0.3258
150+￥0.304855￥0.3209
500+￥0.3002￥0.316￥948
优惠活动
库存总量
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190
购买数量
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起订量：5 个3000个/圆盘
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