H2SK3018T106
H2SK3018T106
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.1A的连续漏极电流（ID），最大漏源电压（VDSS）可达30V，导通电阻（RDS(on)）为1500毫欧，栅源电压（VGS）范围为20V。这些特性使其适用于多种电路设计中，如电源管理、信号切换等应用场景。其低导通电阻有助于减少功耗，提高效率，同时确保了良好的热稳定性。该MOSFET的小信号开关性能优越，能够快速响应，适合于精密控制领域。
- 商品型号
- H2SK3018T106
- 商品编号
- C42401165
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024747克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V,10mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 13pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
20+￥0.12255￥0.129
200+￥0.119795￥0.1261
600+￥0.11799￥0.1242
3000+￥0.11628￥0.1224￥367.2
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购买数量
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起订量：20 个3000个/圆盘
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