HTN2404K
HTN2404K
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- 描述
- 该款N沟道场效应管（MOSFET）具备以下特性：最大工作电压VDSS为240V，确保了其在高电压环境下的稳定运行；导通电阻RDSON低至3000毫欧，在导通状态下能够有效降低能耗；栅极-源极间电压VGS的最大值为20V，便于驱动控制。此元件的连续漏极电流ID在室温下可达到0.1A，适合用于要求不高且稳定的低压直流转换或信号开关应用场景中。其紧凑的设计使其成为便携式电子产品中的理想选择，能够在保证性能的同时，提供良好的节能效果。
- 商品型号
- HTN2404K
- 商品编号
- C42401164
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028283克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 240V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14Ω@10V,0.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 77pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
梯度价格
梯度
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1+￥1.5725￥1.85
10+￥1.5385￥1.81
30+￥1.513￥1.78
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