HDMP3099L
HDMP3099L
- SMT扩展库
- PCB免费打样
- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具备4.1A的漏极电流（ID），适合应用于需要精确电流控制的电路中。其最大工作电压（VDSS）为30V，能够承受较高电压而不损坏。导通电阻（RDSON）为48毫欧，有助于减少电力损耗，提升电路效率。栅源电压（VGS）最高可达20V，提供了宽泛的驱动信号范围。此MOSFET适用于消费电子产品中的电源开关、负载稳压以及信号电平转换等多种应用场景。
- 商品型号
- HDMP3099L
- 商品编号
- C42401162
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028788克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 650pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
10+￥0.11836￥0.1345
100+￥0.11572￥0.1315
300+￥0.11396￥0.1295
1000+￥0.112288￥0.1276￥382.8
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
180
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个 )个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
客服
芯媒体
反馈
收起