HTK50P04M1
HTK50P04M1
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- 描述
- 该款N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID），适用于高电流需求的应用中。其最大工作电压（VDSS）为40V，确保了在多种电压环境下使用的安全性。导通电阻（RDSON）仅为7.7毫欧，在导通状态下能有效降低能量损耗，提高系统的整体效率。栅源电压（VGS）的最大值为20V，便于电路设计时的驱动控制。此MOSFET适用于需要高效能转换与控制的场合，如电源管理模块、便携式设备充电电路等。
- 商品型号
- HTK50P04M1
- 商品编号
- C42401161
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.380808克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 64.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.8nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
1+￥1.1815￥1.39
10+￥1.156￥1.36
30+￥1.139￥1.34
100+￥1.122￥1.32￥3300
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购买数量
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