HAO3460
HAO3460
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- 描述
- 这款N沟道场效应管设计用于低功率应用，具有0.1A的连续漏极电流能力和60V的漏源电压。其导通电阻为1300毫欧姆，适合在对空间和效率有特定要求的小型电子装置中使用。栅源电压可达20V，确保了良好的开关性能。此MOSFET适用于各种需要精密控制电路的工作环境，如便携式设备、消费电子产品等场合作为有效的开关或放大元件。
- 商品型号
- HAO3460
- 商品编号
- C42401108
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.020707克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,115mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
梯度价格
梯度
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原价
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10+￥0.11836￥0.1345
100+￥0.11572￥0.1315
300+￥0.11396￥0.1295
1000+￥0.112288￥0.1276￥382.8
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180
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起订量：10 个3000个/圆盘
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