HT2N7002BKLM
HT2N7002BKLM
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）设计用于要求高效率和低损耗的应用场合。其最大漏源电压（VDSS）为60伏特，支持广泛的电压操作范围；导通电阻（RDON）低至1000毫欧，有助于减少发热并提高系统效率。该MOSFET的最大漏极电流（ID）可达0.3安培，在保证性能的同时，也提供了出色的热稳定性。栅源电压（VGS）范围宽至20伏特，便于与多种控制电路配合使用。此元件适用于需要精确开关控制和高效能转换的电路设计中。
- 商品型号
- HT2N7002BKLM
- 商品编号
- C42401107
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@5V,0.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
50+￥0.05283￥0.0587
500+￥0.05175￥0.0575
3000+￥0.05094￥0.0566￥169.8
6000+￥0.05013￥0.0557￥167.1
优惠活动
库存总量
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200
江苏仓
50
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 50 个 )个
起订量：50 个3000个/圆盘
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