HAOSS32136C
HAOSS32136C
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备6A的连续排水电流（ID/A），最大承受20V的漏源电压（VDSS/V）。其低至22毫欧的导通电阻（RDSON）有助于减少能量损耗。该器件适用于栅源电压（VGS/V）为12V的条件下操作，广泛应用于消费电子领域，如在电源适配器中作为开关元件，或在便携设备中用于电池管理和保护电路，确保高效率和稳定性。
- 商品型号
- HAOSS32136C
- 商品编号
- C42401106
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028283克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 500pF@8V | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
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5+￥1.13202￥1.2578
50+￥1.10718￥1.2302
150+￥1.09053￥1.2117
500+￥1.07397￥1.1933￥3579.9
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