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HSI2333CDST1GE3
HSI2333CDST1GE3
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- 描述
- 这款P沟道场效应管(MOSFET)具备7A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为20V。其导通电阻仅为20毫欧姆，栅源电压范围可达12V。适用于需要紧凑设计与高效能表现的小型电子设备中，例如便携式消费电子产品内的电源管理、负载开关及信号控制等场景。低导通电阻有助于减少能耗，提高系统整体效率。
- 商品型号
- HSI2333CDST1GE3
- 商品编号
- C42401103
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V,4.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 980pF@4V | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF@4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
梯度价格
梯度
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150+￥0.4484
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购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个 )个
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