HFDMS7660AS
HFDMS7660AS
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备高达150A的漏极电流（ID/A），适用于大电流处理的电子产品中。其耐压值（VDSS/V）为30V，适合低压大电流的应用场景。导通电阻（RDSON/mR）低至2毫欧，有助于减少能量损失，提高转换效率。栅源电压（VGS/V）为±20V，确保了可靠的栅极驱动信号识别。该MOSFET可以应用于高性能的电源管理模块、高功率密度的设计以及其他需要快速开关和低热耗散的解决方案中。
- 商品型号
- HFDMS7660AS
- 商品编号
- C42401101
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146465克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 187W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
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