HSTL110N10F7
HSTL110N10F7
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID/A），适用于要求较高的电流应用场合。其最大工作电压（VDSS/V）为100V，能够承受较高电压环境下的工作需求。导通电阻（RDSON/mR）仅为7.3毫欧，这意味着在导通状态下其自身损耗较小，效率更高。栅源电压（VGS/V）的最大值为20V，确保了有效的开关操作。此MOSFET适合用于需要高效能和可靠性的电路设计中，如电源管理、便携式设备的电源开关等应用场景。
- 商品型号
- HSTL110N10F7
- 商品编号
- C42401100
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.156566克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.2mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 97W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.046nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
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1+￥3.204￥3.56
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