HIRF9332PBF
HIRF9332PBF
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- 描述
- 这款P沟道场效应管(MOSFET)支持11A的连续漏极电流，具有30V的漏源电压承受能力。其导通电阻仅为13毫欧姆，栅源电压范围达到20V。该MOSFET适用于对效率和空间有较高要求的小型电子设备或便携式装置中，如电源管理电路、负载开关及电池管理系统等。凭借低导通电阻特性，它有助于减少系统功耗并提高整体性能。
- 商品型号
- HIRF9332PBF
- 商品编号
- C42401097
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129293克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.33nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
梯度价格
梯度
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原价
折合1圆盘
5+￥0.73089￥0.8121
50+￥0.71478￥0.7942
150+￥0.70407￥0.7823
500+￥0.69336￥0.7704￥2311.2
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