HCSD18563Q5A
HCSD18563Q5A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的额定漏极电流（ID），可在最高60V的漏源电压（VDSS）环境下稳定运行。其导通电阻（RDSON）低至5.3毫欧，在25V栅源电压（VGS）下表现出色，有助于减少能量损耗并提高系统效率。此MOSFET适用于多种高效能电源管理场合，例如便携式设备中的DC/DC转换器，以及需要快速开关特性的PWM控制器应用，能够提供可靠的电流控制和保护功能。其优化的电气特性使得它非常适合于对尺寸和效率有严格要求的现代电子产品设计中。
- 商品型号
- HCSD18563Q5A
- 商品编号
- C42401095
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.157576克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 108W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.136nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
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