HSI1553CDLT1GE3
HSI1553CDLT1GE3
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- 描述
- 这款场效应管（MOSFET）涵盖N沟道与P沟道类型，能够提供高达0.8A的连续排水电流（ID），并在最大20V的漏源电压（VDSS）下稳定运行。其导通电阻（RDSON）仅为320毫欧，在导通状态下能有效降低功耗。该MOSFET支持±12V的最大栅源电压（VGS），适合用于设计要求紧凑高效的应用场景，例如小型电子设备中的开关电源或电池保护电路等。
- 商品型号
- HSI1553CDLT1GE3
- 商品编号
- C42401092
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025253克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA；660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@4.5V,0.65A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 120pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
5+￥0.79371￥0.8819
50+￥0.77625￥0.8625
150+￥0.76464￥0.8496
500+￥0.75303￥0.8367￥2510.1
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