HNTJD5121NT1G
HNTJD5121NT1G
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- 描述
- 该N沟道增强型场效应管（MOSFET）设计用于精密控制场合，具备0.1A的漏极电流（ID），以及60V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为1300毫欧，在20V的栅源电压（VGS）驱动下提供可靠的电流路径。此MOSFET适用于需要精细调节电流强度的应用场景，例如电子玩具、智能家居组件或小型电子模块中的信号放大与处理环节，能够确保电路在高压差下的稳定性和精确度。
- 商品型号
- HNTJD5121NT1G
- 商品编号
- C42401090
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024747克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
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梯度
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100+￥0.16112￥0.1696
300+￥0.15865￥0.167
1000+￥0.156275￥0.1645￥493.5
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