HAO3406
HAO3406
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有5.8A的连续漏极电流（ID），可在高达30V的最大漏源电压（VDSS）下工作。导通电阻（RDSON）仅为28毫欧，在12V的栅源电压（VGS）下能够有效降低功耗。此MOSFET适用于设计要求高效能与低能耗的应用，如便携式设备电源管理、消费电子产品中的开关电路及电池供电设备等。其特性使得它能够在高频率操作中保持稳定性能，是设计紧凑型电子产品的理想选择。
- 商品型号
- HAO3406
- 商品编号
- C42401089
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,5.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 825pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
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梯度
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10+￥0.231705￥0.2439
100+￥0.226575￥0.2385
300+￥0.223155￥0.2349
1000+￥0.21983￥0.2314￥694.2
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