HDMP2120U7
HDMP2120U7
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有3A的电流承载能力（ID），能够承受最高20V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为60毫欧，这有助于减少在大电流通过时的能量损失。栅源电压（VGS）的最大值为12V，确保了可靠的开启和关闭特性。此MOSFET适用于消费电子产品中的电源路径管理和信号处理，如在便携式设备中作为负载开关或电源同步开关使用。
- 商品型号
- HDMP2120U7
- 商品编号
- C42401088
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028788克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 405pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
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梯度
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10+￥0.140695￥0.1481
100+￥0.13756￥0.1448
300+￥0.135565￥0.1427
1000+￥0.133475￥0.1405￥421.5
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