HIPD30N06S4L23
HIPD30N06S4L23
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）的设计参数包括：最大连续电流30A（ID），漏源电压承受能力为60V（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为22毫欧，有助于减少发热和能量损失。该器件支持20V的栅源电压（VGS），能够确保可靠的开关性能。适用于各类电源管理方案，如DC/DC转换器、便携式设备充电电路等，可在保证高效能源利用的同时，提供稳定的电流控制。
- 商品型号
- HIPD30N06S4L23
- 商品编号
- C42401085
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.378nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
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