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HNTD20N06LT4G
耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 该款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的连续电流承载能力（ID），能够在高达60V的漏源电压（VDSS）下工作，确保了其在高功率密度应用中的可靠性。此元件拥有低至27毫欧的导通电阻（RDSON），有助于减少能量损耗，提升效率。栅源电压（VGS）的最大额定值为20V，使得该器件易于驱动。适用于各种电源管理场合，如电源转换与管理领域，能有效提高系统的整体性能。
- 商品型号
- HNTD20N06LT4G
- 商品编号
- C42401083
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39596克(g)
- 商品参数
- 数据手册PDF
- 买了又买
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
优惠活动
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