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HIRFP450APBF

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描述
该N沟道MOSFET拥有14A的连续排水电流(ID/A),并且能够承受高达500V的最大漏源电压(VDSS)。其导通电阻(RDSON)为430毫欧,适用于高压应用环境。器件支持最大±20V的栅源电压(VGS),确保了在高压条件下的可靠操作。这种MOSFET适用于需要高压保护的场合,例如家用电器中的电机控制、高压直流转换器以及普通电子设备中的电源管理电路,能够在保证系统安全的同时提供有效的电力转换。
商品型号
HIRFP450APBF
商品编号
C42401082
商品封装
TO-247S
包装方式
管装
商品毛重
4.75克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型-
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on))500mΩ@10V,8.4A
耗散功率(Pd)190W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)150nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.6nF@25V
反向传输电容(Crss)340pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
配置-

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1+¥13.509¥15.01
10+¥11.502¥12.78
30+¥10.251¥11.39¥341.7
90+¥8.964¥9.96¥298.8
510+¥8.379¥9.31¥279.3
990+¥8.127¥9.03¥270.9

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