HIRFP450APBF
HIRFP450APBF
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- 描述
- 该N沟道MOSFET拥有14A的连续排水电流(ID/A),并且能够承受高达500V的最大漏源电压(VDSS)。其导通电阻(RDSON)为430毫欧,适用于高压应用环境。器件支持最大±20V的栅源电压(VGS),确保了在高压条件下的可靠操作。这种MOSFET适用于需要高压保护的场合,例如家用电器中的电机控制、高压直流转换器以及普通电子设备中的电源管理电路,能够在保证系统安全的同时提供有效的电力转换。
- 商品型号
- HIRFP450APBF
- 商品编号
- C42401082
- 商品封装
- TO-247S
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.75克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | - | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
连续漏极电流(Id) | 14A | |
导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V,8.4A | |
耗散功率(Pd) | 190W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.6nF@25V | |
反向传输电容(Crss) | 340pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
配置 | - |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1管
1+¥13.509¥15.01
10+¥11.502¥12.78
30+¥10.251¥11.39¥341.7
90+¥8.964¥9.96¥298.8
510+¥8.379¥9.31¥279.3
990+¥8.127¥9.03¥270.9
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
30
江苏仓
6
购买数量
(30个/管,最小起订量 1 个 )个
起订量:1 个30个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交2单
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