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HIRFP450APBF
1个N沟道 耐压:500V 电流:14A
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- 描述
- 该N沟道MOSFET拥有14A的连续排水电流（ID/A），并且能够承受高达500V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为430毫欧，适用于高压应用环境。器件支持最大±20V的栅源电压（VGS），确保了在高压条件下的可靠操作。这种MOSFET适用于需要高压保护的场合，例如家用电器中的电机控制、高压直流转换器以及普通电子设备中的电源管理电路，能够在保证系统安全的同时提供有效的电力转换。
- 商品型号
- HIRFP450APBF
- 商品编号
- C42401082
- 商品封装
- TO-247S
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.75克(g)
- 商品参数
- 数据手册PDF
- 买了又买
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@10V,8.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
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