温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 410pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
SOT - 89封装的60V N沟道增强型MOS场效应管，包含栅极、漏极、源极，给出了产品字标、电特性、典型特性曲线及外形封装尺寸等信息。
- SS8550
- SS8050
- ZM4751A
- ZM4755A
- ZM4752A
- ZM4736A
- ZM4748A
- PET-1
- 1518*533*1500mm-5
- 9.5*40cm-qs
- W00504
- SCSI20-20-2M-ST-1D1
- DC5521-G-0.75SQ-0.3M-DX
- DC5521-G-0.75SQ-0.5M-DX
- DC5521-G-0.75SQ-1M-DX
- DC5521-G-0.75SQ-1.5M-DX
- DC5521-G-0.75SQ-2M-DX
- DC5521-M-0.75SQ-0.3M-DX
- DC5521-M-0.75SQ-0.5M-DX
- DC5521-M-0.75SQ-1M-DX
- DC5521-M-0.75SQ-1.5M-DX