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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM6003P3

P沟道 60V 500mA

商品型号
TPM6003P3
商品编号
C42394020
商品封装
DFN1006-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.01015克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)500mA
导通电阻(RDS(on))2.4Ω@10V
耗散功率(Pd)500mW
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)11nC
属性参数值
输入电容(Ciss)51pF
反向传输电容(Crss)2.2pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)15pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 漏源电压(VDS):-60V
  • 漏极电流(IDS)(@栅源电压(VGS) = -10V):-0.5A
  • 导通电阻(RDS(ON))(@栅源电压(VGS) = -10V):<4Ω

应用领域

  • 反接电池保护
  • 负载开关
  • 电源管理
  • 脉宽调制(PWM)应用

数据手册PDF