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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 300mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻。
- -1.5V驱动。
- 内置栅源(G-S)保护二极管。
- 小型表面贴装封装(TUMT6)。
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用
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