HES1DHE3AI

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：35ns

描述

这款快恢复二极管设计精良，具有高效的性能表现。其最大平均正向电流（IF）为1A，能够稳定处理200V的最大反向电压（VR）。在正向导通时，电压降（VF）低至0.95V，有效降低能耗。反向漏电流（IR）被限制在5μA，确保了在待机模式下的低功耗表现。此外，该二极管可以承受高达30A的瞬态正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电路和其他需要快速恢复时间和高效率的应用场景中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HES1DHE3AI

商品编号

C42389407

商品封装

SMA​

包装方式

编带

商品毛重

0.081克(g)