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HES1DE35AT

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns

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描述
这款快恢复二极管具有高效率特性,其最大平均正向电流(IF)为1安培,能够承受最高反向电压(VR)达到200伏特。在正向导通状态下的电压降(VF)仅为0.95伏特,这有助于减少能量损耗。该二极管的反向漏电流(IR)控制在微安级别,具体为5微安,在瞬态大电流(IFSM)情况下可承受高达30安培的峰值。这些特性使其非常适合用于高频开关电源以及需要高效能整流的应用中。
商品型号
HES1DE35AT
商品编号
C42389405
商品封装
SMA​
包装方式
编带
商品毛重
0.0815克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录快恢复/高效率二极管
二极管配置独立式
正向压降(Vf)950mV@1A
直流反向耐压(Vr)200V
整流电流1A
属性参数值
反向电流(Ir)5uA
反向恢复时间(Trr)35ns
工作结温范围-55℃~+150℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)30A

数据手册PDF