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OSH40N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:40A
- 描述
- N沟道,40A,650V,导通电阻：0.17Ω
- 品牌名称
- OSEN(欧芯)
- 商品型号
- OSH40N65
- 商品编号
- C42381449
- 商品封装
- TO-3PNB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.974444克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 320W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 155nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 500pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品BSS8402DWQ-7(ES)为无铅产品。
商品特性
- -60V，VGS = -10V时，RDS(ON) = 3.5 Ω（典型值）
- VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 4.5 Ω（典型值）
- 快速开关
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换