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AO4805
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
100%保证通过EAS测试
- 提供绿色环保器件
- 超低导通电阻RDS(ON)
- 先进的高单元密度沟槽技术 N沟道150V快速开关MOSFET产品概述
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 高速开关
应用领域
- 电池保护
- 电源管理
- 负载开关
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