G2302B1
G2302B1
- 描述
- G2302B1 是一款为控制 N&N 沟道 MOSFETs而设计的三路 Gate 驱动 IC。芯片内部有 3个半桥，共驱动 3 个上臂 N 沟道功率MOSFETs和3个下臂 N沟道功率MOSFETs，每一路输出均由单一逻辑输入信号控制， 由MCU 或控制器来控制马达工作于任意模式。芯片内部集成了 3.3/5V 的 LDO，电流能力达 到 100mA。 内置死区时间和直通保护逻辑，防止上、下桥臂的功率管同时导通。 G2302B1 封装类型为 TSSOP20
- 品牌名称
- SGKS(森国科)
- 商品型号
- G2302B1
- 商品编号
- C42377506
- 商品封装
- TSSOP-20
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 4.5V~28V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | - | |
| 下降时间(tf) | 60ns | |
| 传播延迟 tpLH | 55ns | |
| 传播延迟 tpHL | 55ns | |
| 特性 | 过热保护 | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
商品概述
G2302B1 是一款为控制N&N 沟道MOSFETs而设计的三路Gate 驱动IC。芯片内部有3个半桥，共驱动3 个上臂N 沟道功率MOSFETs 和3 个下臂N 沟道功率MOSFETs，每一路输出均由单一逻辑输入信号控制， 由MCU 或控制器来控制马达工作于任意模式。芯片内部集成了3.3/5V 的LDO，电流能力达到100mA。内置死区时间和直通保护逻辑，防止上、下桥臂的功率管同时导通。G2302B1 封装类型为TSSOP20。
商品特性
- 内置LDO带载能力强达100mA
- N/N MOS半桥、三路输出
- 输入工作电压范围4.5V~28V
- LDO 3.3V/5V可选，且具有限流保护
- 内置过温关闭保护功能
- 内置死区时间
应用领域
- 电机驱动
- 工业控制
- 桥式电路前级驱动
- 电动自行车/电动工具