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AGM205AP
1个N沟道 耐压:20V 电流:100A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：58W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.0mΩ@4.5V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：38nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：2.620nF@15V ,Vds=20V Id=100A Rds=3.0mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM205AP
- 商品编号
- C42372660
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.098克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.62nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 338pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻（Rdson）
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 直流-直流转换器
- 适用于高频开关和同步整流