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IQD016N08NM5SCATMA1
N沟道 80V 323A
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- 描述
- 特性：N- channel, normal level。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 针对双面冷却进行优化设计。 100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据JECL1249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQD016N08NM5SCATMA1
- 商品编号
- C42361785
- 商品封装
- PG-WHSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 323A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 333W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- N沟道,常电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的热阻性能
- 专为双面散热优化设计
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤素