- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
D2516AN9EXGXNI-U
D2516AN9EXGXNI-U
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- 描述
- ITEMP 4GB 96 BALL FBGA DDR4 3200
- 品牌名称
- Kingston(金士顿)
- 商品型号
- D2516AN9EXGXNI-U
- 商品编号
- C42330007
- 商品封装
- FBGA-96(7.5x13)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
容量：4G比特 组织架构：
- 32M字×16比特×8个存储体 封装：
- 96球FBGA
- 无铅
- 无卤 电源供应（JEDEC标准1.2V）：
- VDD = 1.2V ± 0.06V
- VPP = 2.5V +0.25V / -0.125V 数据速率：
- 最大3200Mbps，向后兼容
- 8个内部存储体
- x16产品采用8个存储体（4个存储体×2个存储体组）
- 接口：伪开漏（POD）
- 突发长度（BL）：8和4，支持突发分割（BC） 列地址选通潜伏期（CL）：10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、24 列地址选通写入潜伏期（CWL）：9、10、11、12、14、16、18、20
- 预充电：每次突发访问可选自动预充电
- 刷新：自动刷新、自刷新
- 刷新周期： 平均刷新周期：
- 在 -40°C ≤ TC ≤ +85°C时为7.8μs
- 在 +85°C < TC ≤ +95°C时为3.9μs
- 工作外壳温度范围：-40°C ~ +95°C（工业温度）
商品特性
- 双倍数据速率架构：每个时钟周期进行两次数据传输
- 通过8位预取流水线架构实现高速数据传输
- 双向差分数据选通信号（DQS和/DQS）与数据一起发送/接收，用于在接收器处捕获数据
- DQS在读取时与数据边缘对齐，在写入时与数据中心对齐
- 差分时钟输入（CK_t和CK_c）
- DLL使DQ和DQS转换与CK转换对齐
- 数据掩码（DM）在数据选通信号的上升沿和下降沿写入数据
- 支持写入循环冗余校验码（CRC）
- 支持可编程的读写前导码
- 支持可编程突发长度4/8，具有半字节顺序和交错模式
- 支持动态突发长度切换
- 驱动器强度由MRS选择
- 支持动态片上终端
- 可通过ODT引脚切换两种终端状态，如RTT PARK和RTT_NOM
- 支持异步复位引脚
- 支持ZQ校准
- 支持写入电平校准
- 本产品符合RoHS指令
- 可进行内部Vref DQ电平生成
- 支持TCAR（温度控制自动刷新）模式
- 支持LP ASR（低功耗自动自刷新）模式
- 支持命令地址（CA）奇偶校验（命令/地址）模式
- 支持每个DRAM可寻址性（PDA）
- 支持精细粒度刷新
- 支持降速模式（1/2速率、1/4速率）
- 支持自刷新中止
- 支持最大节能模式
- 应用了存储体分组，同一或不同存储体组访问时存储体的CAS到CAS潜伏期（tCCD_L，tCCD_S）可用
- DMI引脚支持写入数据屏蔽和DBldc功能