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PMEN2423S
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 品牌名称
- Potens(博盛半导体)
- 商品型号
- PMEN2423S
- 商品编号
- C441840
- 商品封装
- SOT-23-3S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 550mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用了沟槽DMOS技术。这项先进技术经过特别设计，旨在最小化导通电阻、提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 低栅极电荷（典型Qgd为4.5nC）
- 内置G-S ESD保护二极管
- 快速开关
- 有绿色环保器件可供选择
- 适用于-1.8V栅极驱动应用
应用领域
- 笔记本电脑
- 负载开关
- LED应用