CBR08C709D1GAC

KEMET的HiQ CBR射频电容器系列采用铜电极BME（贱金属电极）系统，在甚高频、超高频和微波频段提供超低ESR和高Q值。低ESR允许更高的射频电流，非常适合蜂窝基站和电信网络等应用。CBR系列电容器的电容随时间和电压无变化，且相对于环境温度的电容变化可忽略不计。KEMET的HiQ CBR射频电容器采用ModelithicsTM基板可扩展模型进行特性分析，并且在大多数EDA软件中都可用。如需访问模型的详细信息，请联系KEMET销售部门。

• 超低ESR和高Q值
• 高自谐振频率（SRF）
• 高热稳定性
• 1 MHz至50 GHz频率范围
• 工作温度范围为 -55°C至 +125°C
• 贱金属电极（BME）介电系统
• 无铅且符合RoHS标准
• 0201、0402、0603和0805封装尺寸（英寸）
• 直流电压额定值为6.3 - 500 V
• 电容值范围从0.1 pF到100 pF
• 可用的电容公差为 ±0.05 pF、±0.1 pF、±0.25 pF、±0.5 pF、±1%、±2%和±5%
• 电容随温度变化可忽略不计
• 100%纯哑光镀锡终端，可实现出色的可焊性

• 射频功率放大器（PA）
• 蜂窝基站（4G、5G）
• 无线局域网
• 电信网络
• GPS
• 蓝牙
• 旁路、耦合、滤波、阻抗匹配、隔直