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IPW65R050CFD7A
650V CoolMOSTM CFD7A超结功率器件
- 描述
- 提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW65R050CFD7A
- 商品编号
- C42257636
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.975nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品概述
650V CoolMOS CFD7A 具备集成式快速体二极管,可用于功率因数校正(PFC)和零电压开关(ZVS)移相全桥、LLC 等谐振开关拓扑。
商品特性
- 市场上采用集成式快速体二极管的最新 650V 汽车级技术,具备超低反向恢复电荷(Qrr)
- 最低的品质因数 RDS(on)*Qg 和 RDS(on)*Eoss
- 100% 雪崩测试
- 贴片式(SMD)和通孔式(THD)封装中同类最佳的导通电阻 RDS(on)
应用领域
- 单向和双向 DC-DC 转换器
- 车载电池充电器