温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPW65R050CFD7A
650V CoolMOSTM CFD7A超结功率器件
- 描述
- 提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW65R050CFD7A
- 商品编号
- C42257636
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@1.24mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.975nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用了最新的加工技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。该设计的其他特性包括150°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- VDS(V) = 55 V
- ID = 5.1 A (VGS = 10 V)
- RDS(ON) ≤ 57.5 mΩ (VGS = 10 V)