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IQFH36N04NM6ATMA1
N沟道 40V 656A
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- 描述
- 特性：针对低电压驱动应用进行优化。 针对电池供电应用进行优化。 针对同步整流进行优化。 极低导通电阻Rps(on)，100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21，无卤，额定温度175℃
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQFH36N04NM6ATMA1
- 商品编号
- C42197920
- 商品封装
- TSON-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 656A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 309nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 18.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 178pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6.02nF |
商品特性
- 针对低压驱动应用进行优化
- 针对电池供电应用进行优化
- 针对同步整流进行优化
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- N沟道
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 符合IEC61249 - 2 - 21标准的无卤要求
- 额定温度 175℃