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CBR04C680F3GAC

68pF ±1% 25V

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描述: 采用铜电极BME(贱金属电极)系统,在甚高频、超高频和微波频段提供超低ESR和高Q值。低ESR允许更高的RF电流,适用于蜂窝基站和电信网络等应用。电容值随时间和电压无变化,且相对于环境温度的电容变化可忽略不计。
品牌名称: KEMET(基美)
商品型号: CBR04C680F3GAC
商品编号: C3831342
商品封装: 0402
包装方式: 编带
商品毛重: 0.012886克(g)

商品概述

KEMET的HiQ CBR射频电容器系列采用铜电极BME（贱金属电极）系统，在甚高频、超高频和微波频段提供超低ESR和高Q值。低ESR允许更高的射频电流，非常适合蜂窝基站和电信网络等应用。CBR系列电容器的电容随时间和电压无变化，且相对于环境温度的电容变化可忽略不计。KEMET的HiQ CBR射频电容器采用ModelithicsTM基板可扩展模型进行特性分析，并且在大多数EDA软件中都可用。如需访问模型的详细信息，请联系KEMET销售部门。

商品特性

超低ESR和高Q值
高自谐振频率（SRF）
高热稳定性
1 MHz至50 GHz频率范围
工作温度范围为 -55°C至 +125°C
贱金属电极（BME）介电系统
无铅且符合RoHS标准
0201、0402、0603和0805封装尺寸（英寸）
直流电压额定值为6.3 - 500 V
电容值范围从0.1 pF到100 pF
可用的电容公差为 ±0.05 pF、±0.1 pF、±0.25 pF、±0.5 pF、±1%、±2%和±5%
电容随温度变化可忽略不计
100%纯哑光镀锡终端，可实现出色的可焊性

应用领域

射频功率放大器（PA）
蜂窝基站（4G、5G）
无线局域网
电信网络
GPS
蓝牙
旁路、耦合、滤波、阻抗匹配、隔直

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	贴片电容(MLCC)
	容值	68pF
	精度	±1%

	属性	参数值
	额定电压	25V
	温度系数	C0G

CBR04C680F3GAC

商品参数

商品概述

商品特性

应用领域

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