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罗切斯特品牌的组件采用从原始供应商处购买的裸片/晶圆或根据原始知识产权重新制作的罗切斯特晶圆制造。所有重新制作工作均获得原始组件制造商（OCM）的批准。零件使用原厂测试程序或罗切斯特开发的测试解决方案进行测试，以确保产品达到或超过OCM数据手册的要求。罗切斯特电子有限责任公司致力于提供满足客户质量期望的产品，其性能与行业制造商最初提供的产品相当。原始制造商随本文件附带的数据手册反映了罗切斯特制造的该器件版本的性能和规格。罗切斯特电子保证其半导体产品的性能符合原始OCM规格。“典型”值仅用于参考目的。某些最小或最大额定值可能基于产品特性、设计、仿真或样品测试。

• 供应电压范围：-0.5 V直流至 +7.0 V直流
• 输入电压范围：-1.2 V直流（-18 mA时）至 +7.0 V直流
• 存储温度范围：-65°C至 +150°C
• 每个器件的最大功耗（PD）：器件类型01、02、03、04为303 mW
• 引脚温度（焊接，10秒）：+300°C
• 结到外壳的热阻（θJC）：（参见MIL - STD - 1835）
• 结温（TJ）：175°C
• 推荐的供应电压（VCC）：4.5 V直流最小至5.5 V直流最大
• 最小高电平输入电压（VIH）：2.0 V直流
• 最大低电平输入电压（VIL）：0.8 V直流
• 归一化扇出（每个输出）：低逻辑电平最大33，高逻辑电平最大50
• 外壳工作温度范围（TC）：-55°C至 +125°C
• 时钟脉冲高电平宽度（PE（上划线） = 高，器件类型01、02）：最小9.0 ns
• 时钟脉冲高电平宽度（PE = 低，器件类型01、02）：最小7.0 ns
• 时钟脉冲低电平宽度（PE（上划线） = 高，器件类型01、02）：最小8.0 ns
• 时钟脉冲低电平宽度（PE = 低，器件类型01、02）：最小9.0 ns
• 主复位脉冲低电平宽度（MR = 低，器件类型01）：最小9.5 ns
• PL脉冲低电平宽度：器件类型03最小8.5 ns，器件类型04最小7.5 ns
• 时钟脉冲低电平宽度（器件类型03）：最小7.0 ns
• CPU或CPD脉冲低电平宽度（器件类型04）：最小7.0 ns
• 主复位脉冲高电平宽度（MR = 高，器件类型04）：最小6.0 ns
• CPU或CPD脉冲低电平宽度（方向改变，器件类型04）：最小12.0 ns
• Pn高电平到时钟脉冲的建立时间（器件类型01、02）：最小5.5 ns
• Pn低电平到时钟脉冲的建立时间（器件类型01、02）：最小5.5 ns
• PE或SR高电平到时钟脉冲的建立时间（器件类型01、02）：最小13.5 ns
• PE或SR低电平到时钟脉冲的建立时间（器件类型01、02）：最小10.5 ns
• CEP或CET高电平到时钟脉冲的建立时间（器件类型01、02）：最小13.0 ns
• CEP或CET低电平到时钟脉冲的建立时间（器件类型01、02）：最小7.5 ns
• U（上划线）/D高电平到时钟脉冲的建立时间（器件类型03）：最小12.0 ns
• U（上划线）/D低电平到时钟脉冲的建立时间（器件类型03）：最小12.0 ns
• Pn高电平到PL的建立时间（器件类型03、04）：最小6.0 ns
• Pn低电平到PL的建立时间（器件类型03、04）：最小6.0 ns
• CE低电平到时钟脉冲的建立时间（器件类型03）：最小10.5 ns
• Pn高电平到时钟脉冲的保持时间（器件类型01、02）：最小2.5 ns
• Pn低电平到时钟脉冲的保持时间（器件类型01、02）：最小2.5 ns
• PE（上划线）或SR（上划线）高电平到时钟脉冲的保持时间（器件类型01、02）：最小2.0 ns
• PE（上划线）或SR（上划线）低电平到时钟脉冲的保持时间（器件类型01、02）：最小0.0 ns
• CEP或CET高电平到时钟脉冲的保持时间（器件类型01、02）：最小2.0 ns
• CEP或CET低电平到时钟脉冲的保持时间（器件类型01、02）：最小2.0 ns