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AIMCQ120R160M1TXTMA1
汽车用碳化硅MOSFET，采用HDSOP-22-3封装，具备低开关损耗、高开关速度和高功率密度等特性
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIMCQ120R160M1TXTMA1
- 商品编号
- C42070184
- 商品封装
- SOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.76克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ |
商品概述
引脚定义：
- 引脚 1 - 栅极
- 引脚 2 - 驱动源极
- 引脚 3...11 - 功率源极
- 引脚 12...22、焊盘 - 漏极
注意：驱动源极和功率源极引脚不可互换，互换可能导致故障
商品特性
- 在结温 Tᵥⱼ = -55...175°C 时，漏源击穿电压 V_DSS = 1200 V
- 在壳温 T_C = 25°C 时，直流漏极电流 I_DDC = 18.6 A
- 在栅源电压 V_GS = 20 V、结温 Tᵥⱼ = 25°C 时，导通电阻 R_DS(on) = 160 mΩ
- 采用新的性能优化芯片技术（Gen1p），改善了 R_DS(on) * A
- 具备同类最佳的开关能量，可降低开关损耗并减少散热需求
- 器件电容最低，可实现更高的开关速度和更高的功率密度
- 低 C_rss / C_iss 比和高 V_GS(th) 的组合，可避免寄生导通并支持单极栅极驱动
- 提高推荐导通电压（V_GS(on) = 20 V）以降低 R_DS(on)
- 降低总栅极电荷 Q_G，以降低驱动功率和损耗
- 采用 .XT 芯片连接技术，具备同类最佳的热性能
- 封装杂散电感低，可实现更快、更干净的开关
- 具备驱动（开尔文）源极引脚，可实现更好的栅极控制并降低开关损耗
- 爬电距离 > 4.75 mm，适用于基于 IEC60664 的材料组 I、污染等级 2 的 V_rms(max) > 950 V
- 采用 SMT 封装，可实现自动化组装并降低系统成本
- 低 R_th 顶侧冷却封装，具备最佳的热性能和功率密度
应用领域
- 车载充电器
- DC/DC 转换器