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DGD0211EWT-7
高速低侧MOSFET和IGBT栅极驱动器，适用于开关电源和PFC电路
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DGD0211EWT-7
- 商品编号
- C42045197
- 商品封装
- TSOT-25
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | 1.8A | |
| 拉电流(IOH) | 1.9A | |
| 工作电压 | 4.5V~18V | |
| 上升时间(tr) | 17ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 18ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 4uA |
商品概述
DGD0211E 单通道高速/低端 MOSFET 和 IGBT 驱动器能够驱动 1.9A 的峰值电流。该器件具有可根据 XREF 电平调整的逻辑输入阈值，可用于 5.0V、3.3V 和 2.5V 供电系统。DGD0211E 还提供单路同相输入。 由于典型传播时间为 34ns，典型上升/下降时间为 18ns，DGD0211E 非常适合用于开关模式电源和 PFC 电路等高速应用。 DGD0211E 采用 TSOT25 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。
商品特性
- 用于驱动 MOSFET 和 IGBT 的低端栅极驱动器
- 宽电源电压工作范围：4.5V 至 18V
- 1.9A 源极 / 1.8A 灌电流输出能力
- 单路同相输入配置
- 快速传播延迟（典型值 34ns）
- 快速上升和下降时间（典型值 18ns）
- 扩展温度范围：-40°C 至 +125°C
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 线路驱动器
- 电机控制
- 开关模式电源