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STL165N4F8AG
采用PowerFLAT 5x6封装的汽车级N沟道标准电平40 V功率MOSFET
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- 描述
- STL165N4F8AG 是一款采用 STripFET F8 技术设计的 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET，具有改进的沟槽栅极结构。它在实现极低导通电阻的同时，还能降低内部电容和栅极电荷，确保了卓越的品质因数，从而实现更快、更高效的开关性能。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL165N4F8AG
- 商品编号
- C41991066
- 商品封装
- PowerFLAT-8(5x6)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 154A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 111W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 690pF |
商品概述
STL165N4F8AG是一款采用STripFET F8技术设计的40 V N沟道增强型功率MOSFET,具有改进的沟槽栅极结构。 它确保了极低导通电阻的先进品质因数,同时降低内部电容和栅极电荷,实现更快、更高效的开关。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- MSL1等级
- 最高工作结温175 °C
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷Qg
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 汽车电机控制
- 车身与便利系统
- 底盘与安全系统
- 内燃机动力系统