- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AIMCQ120R080M1TXTMA1
汽车用碳化硅MOSFET，具备低开关损耗和高功率密度特性
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIMCQ120R080M1TXTMA1
- 商品编号
- C41919054
- 商品封装
- PG-HDSOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 耗散功率(Pd) | 211W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 671pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 35pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ |
商品概述
引脚定义：
- 引脚1 - 栅极
- 引脚2 - 驱动源极
- 引脚3...11 - 电源源极
- 引脚12...22，焊盘 - 漏极
注意：驱动源极和电源源极引脚不可互换，互换可能导致故障
商品特性
- 在结温Tvj = -55...175°C时，漏源极击穿电压V_DSS = 1200V
- 在壳温Tc = 25°C时，直流漏极电流I_DDC = 34A
- 在栅源电压V_GS = 20V、结温Tvj = 25°C时，导通电阻R_DS(on) = 80mΩ
- 采用新型性能优化芯片技术（Gen1p），改善了R_DS(on)*A
- 具备同类最佳的开关能量，可降低开关损耗并减少散热需求
- 器件电容最低，可实现更高开关速度和更高功率密度
- 低C_rss/C_iss比与高V_GS(th)相结合，可避免寄生导通并支持单极栅极驱动
- 降低了总栅极电荷Q_G，可降低驱动功率和损耗
- 提高了推荐导通电压（V_GS(on) = 20V），以降低R_DS(on)
- 采用.XT芯片连接技术，具备同类最佳的热性能
- 封装杂散电感低，可实现更快、更干净的开关
- 具备驱动（开尔文）源极引脚，可实现更好的栅极控制并降低开关损耗
- 爬电距离 > 4.75mm，适用于基于IEC60664的材料组I、污染等级2，V_rms(max) > 950V
- 采用SMT封装，可实现自动化组装并降低系统成本
- 采用低热阻R_th顶侧冷却封装，具备最佳热性能和功率密度
应用领域
- 车载充电器
- DC/DC转换器
- 辅助驱动器