R75PF218050H3J
18nF ±5% 630V 250V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- KEMET(基美)
- 商品型号
- R75PF218050H3J
- 商品编号
- C3806665
- 商品封装
- 插件,P=10mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 聚丙烯膜电容(CBB) | |
| 容值 | 18nF | |
| 精度 | ±5% |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 额定电压 | 630V;250V | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
R75 125°C 系列由金属化聚丙烯薄膜制成,带有镀锡线的径向引脚。径向引脚通过电气焊接连接到电容器绕组端部的金属层。电容器封装在符合 UL 94V - 0 要求的自熄性、耐溶剂塑料外壳中,使用热固性树脂材料。根据电压参数和引脚间距,采用两种不同的绕组结构。汽车级器件满足汽车电子委员会严格的 AEC - Q200 认证要求。
商品特性
- 电压范围:160 - 2000 VDC
- 电容范围:1 nF - 33 μF
- 引脚间距:10 - 37.5 mm
- 电容公差:±5%、±10%、±20%
- 气候类别:55/110/56 IEC 60068 - 1
- 工作温度范围:-55°C ~ +125°C
- 可在恶劣环境中使用
- 符合 RoHS 标准且引脚无铅
- 采用符合 IEC 60286 - 2 的卷带包装
- 具有自修复功能
- 汽车(AEC - Q200)级
应用领域
典型应用包括谐振电路、高频中高电流应用、可控硅整流器(SCR 和 IGBT)和 SiC(如 MOSFET)换相电路,以及高温和直流母线条件下的高电压、中高电流应用。不适合跨线应用(参见抑制电容器)。
- R75QN3100AA00K
- C9TS6MD5548AARX
- C4AF3BW5100A3MK
- PHE426HB6330JR06
- R75TR31004040J
- C274AC24315SB0J
- C274ACF5120LF0J
- C4AQILU4750A19J
- C44HKGR6100AASJ
- R75TR32204040J
- C4AF1BU4750T12K
- PHE450PF6330JR06L2
- PHE450MD6330JR06L2
- R76UI12204030J
- C4AQILU4750M19J
- C4BSPBX3680ZBFJ
- C4AQOBU4440M1YJ
- C4AFABW4220T3FK
- 274AA24600AA0J
- R76II3150JB30J
- 20ALGR5470AASK
- R75QN3100AA00K
- C9TS6MD5548AARX
- C4AF3BW5100A3MK
- BFC238560392
- B32621A6392J289
- MKP385E53310JPP5T0
- MKP383415100JKM2T0
- ECW-H10243HVB
- BLH206K601B084
- B25620B0977K883
- MKP385E42763KIM2T0
- KP1830147631
- MKP385E34712KF02W0
- BFC238352332
- BFC238323683
- MKP385E3102BKI02W0
- ECW-HA3C912JQ
- MKP385436025JFP2B0
- MKP385E3221AKFP2B0
- MKP1839410633
- MKP385E52210JPP4T0

