R75IR468050H4J
6.8uF ±5% 160V 250V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- KEMET(基美)
- 商品型号
- R75IR468050H4J
- 商品编号
- C3802710
- 商品封装
- 插件,P=27.5mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 聚丙烯膜电容(CBB) | |
| 容值 | 6.8uF | |
| 精度 | ±5% |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 额定电压 | 250V;160V | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
R75 125°C 系列由金属化聚丙烯薄膜制成,带有镀锡线的径向引脚。径向引脚通过电气焊接连接到电容器绕组端部的金属层。电容器封装在符合 UL 94V - 0 要求的自熄性、耐溶剂塑料外壳中,使用热固性树脂材料。根据电压参数和引脚间距,采用两种不同的绕组结构。汽车级器件满足汽车电子委员会严格的 AEC - Q200 认证要求。
商品特性
- 电压范围:160 - 2000 VDC
- 电容范围:1 nF - 33 μF
- 引脚间距:10 - 37.5 mm
- 电容公差:±5%、±10%、±20%
- 气候类别:55/110/56 IEC 60068 - 1
- 工作温度范围:-55°C ~ +125°C
- 可在恶劣环境中使用
- 符合 RoHS 标准且引脚无铅
- 采用符合 IEC 60286 - 2 的卷带包装
- 具有自修复功能
- 汽车(AEC - Q200)级
应用领域
典型应用包括谐振电路、高频中高电流应用、可控硅整流器(SCR 和 IGBT)和 SiC(如 MOSFET)换相电路,以及高温和直流母线条件下的高电压、中高电流应用。不适合跨线应用(参见抑制电容器)。
- R73PI23304000J
- PHE450RD5100JR06L2
- R71VR510050H6K
- R75IF23304000J
- R75PN347050H3J
- C276CC35250AA0J
- R75TR327050H3J
- C4AUNEW5650M3BJ
- C878AF25100AA0J
- C4AEJBU4270A1WJ
- PFR5102J630J11L4BULK
- R76TR333050H3J
- R76MN38205050J
- C4AF7BU4100T1XK
- C44AJGP5400ZA0J
- PHE426KK4120JR05
- R76TI25605050J
- C44APFP4200ZD0J
- R76IW468050H3J
- R75UI156050H3J
- C44PRGR5150RASK
- R73PI23304000J
- PHE450RD5100JR06L2
- R71VR510050H6K
- R75IF23304000J
- R75PN347050H3J
- BFC241814703
- MKP383282025JCM2B0
- MKP383475100JPI2T0
- MKP1848H67050KY5
- MKP385E4472AKPM4T0
- MKP383222063JC02R0
- MKP385416025JD02W0
- B32332I6755J080
- BFC238581621
- BFC247936184
- MKP385E45640JII2B0
- MKP383262063JD02W0
- FKP1Y016806D00MSSD
- EZP-V80126LTU
- MKP383547063JPM4T0
- BFC238354363

