R75QR333050H0J
330nF ±5% 1kV 250V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- KEMET(基美)
- 商品型号
- R75QR333050H0J
- 商品编号
- C3802319
- 商品封装
- 插件,P=27.5mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 聚丙烯膜电容(CBB) | |
| 容值 | 330nF | |
| 精度 | ±5% |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 额定电压 | 1kV;250V | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
R75 125°C 系列由金属化聚丙烯薄膜制成,带有镀锡线的径向引脚。径向引脚通过电气焊接连接到电容器绕组端部的金属层。电容器封装在符合 UL 94V - 0 要求的自熄性、耐溶剂塑料外壳中,使用热固性树脂材料。根据电压参数和引脚间距,采用两种不同的绕组结构。汽车级器件满足汽车电子委员会严格的 AEC - Q200 认证要求。
商品特性
- 电压范围:160 - 2000 VDC
- 电容范围:1 nF - 33 μF
- 引脚间距:10 - 37.5 mm
- 电容公差:±5%、±10%、±20%
- 气候类别:55/110/56 IEC 60068 - 1
- 工作温度范围:-55°C ~ +125°C
- 可在恶劣环境中使用
- 符合 RoHS 标准且引脚无铅
- 采用符合 IEC 60286 - 2 的卷带包装
- 具有自修复功能
- 汽车(AEC - Q200)级
应用领域
典型应用包括谐振电路、高频中高电流应用、可控硅整流器(SCR 和 IGBT)和 SiC(如 MOSFET)换相电路,以及高温和直流母线条件下的高电压、中高电流应用。不适合跨线应用(参见抑制电容器)。
- C878BF35100SA0J
- C9TS5MD5311AARX
- R75PN339050H3J
- R76QI31205050J
- PFR5471H100J11L4BULK
- C4AQUBW5200A3MJ
- 44APFP4150ZA0J
- 878AF24200AA4J
- R76MD2100Z340J
- R75TW327050L3J
- PFR5332H100J12L4BULK
- R76QD0470SE00J
- C4AQQLU4480A19J
- PHE426HF7820JR06L2
- C274ACF5120WA0J
- PHE426KB6100JR06
- R76QF1330SE30J
- R75TI210050H3J
- R76UI212050H4J
- R76PI23304030J
- PHE426HB6220JR06
- C878BF35100SA0J
- C9TS5MD5311AARX
- MKP1839510255
- MKP383339040JC02R0
- B32653A3904J189
- MKP385468025JFM2B0
- MKP385E3392AKII2B0
- KP1830212013G
- ECW-H16153JVB
- MKP385391085JI02W0
- B32671P6823K000
- MKP385236063JB02G0
- BFC238364182
- ECW-H12123HVB
- MKP385410085JKI2B0
- B32653A6154K000
- ECW-FA2J274J5
- BFC237512113
- MKP385E45685JKP2T0
- B32620A6471K289
- MKP1848C53090JK2

